此外，场上软体床通常配备气压或水泵系统，可以根据个人的睡眠习惯进行调整硬度、高度和支撑力等。

厮杀金属Cu是目前生长石墨烯最理想的催化基底。自从石墨烯被发现以来，人们其制备技术也同时引起学术界的广泛关注。

一直从事纳米材料化学与纳米器件研究，场上当前研究兴趣包括石墨烯、场上拓扑绝缘体、二维硫族半导体等高迁移率二维材料的制备方法、化学调制与光电器件应用基础研究。图3.石墨烯在金属表面的生长示意图在制备高质量石墨烯的过程中，厮杀往往需要引入氢气来促进碳源裂解，提高石墨烯的均匀性和质量。1983年毕业于长春工业大学，人们1984年留学日本，1990年获东京大学博士，1991－1993年东京大学和国立分子科学研究所博士后。

还担任国家自然科学基金委员会第十四届专家评审组专家、场上中国化学会常务理事及纳米化学专业委员会创始主任、中国微米纳米技术学会常务理事。欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，厮杀投稿邮箱[email protected]。

文献链接：人们BridgingtheGapbetweenRealityandIdealinChemicalVaporDepositionGrowthofGraphene.（Chem.Rev.118,18,9281-9343.DOI:10.1021/acs.chemrev.8b0032）【部分参考文献】[1]   X.Li,W.Cai,L.Colombo,etal.Evolutionofgraphenegrowthonniandcubycarbonisotopelabeling[J].NanoLett,2009,9(12):4268-72.[2]   W.Liu,S.Kraemer,D.Sarkar,etal.Controllableandrapidsynthesisofhigh-qualityandlarge-areabernalstackedbilayergrapheneusingchemicalvapordeposition[J].ChemMater,2014,26(2):907-15.[3]   K.Yan,H.Peng,Y.Zhou,etal.Formationofbilayerbernalgraphene:Layer-by-layerepitaxyviachemicalvapordeposition[J].NanoLett,2011,11(3):1106-10.[4]   L.Liu,H.Zhou,R.Cheng,etal.High-yieldchemicalvapordepositiongrowthofhigh-qualitylarge-areaab-stackedbilayergraphene[J].ACSNano,2012,6(9):8241-9.[5]   Y.Hao,L.Wang,Y.Liu,etal.Oxygen-activatedgrowthandbandgaptunabilityoflargesingle-crystalbilayergraphene[J].NatureNanotechnology,2016,11(426).[6]   T.Ma,Z.Liu,J.Wen,etal.Tailoringthethermalandelectricaltransportpropertiesofgraphenefilmsbygrainsizeengineering[J].NatureCommunications,2017,8(14486).[7]   X.Li,C.W.Magnuson,A.Venugopal,etal.Graphenefilmswithlargedomainsizebyatwo-stepchemicalvapordepositionprocess[J].NanoLett,2010,10(11):4328-34.[8]   H.Zhou,W.J.Yu,L.Liu,etal.Chemicalvapourdepositiongrowthoflargesinglecrystalsofmonolayerandbilayergraphene[J].NatureCommunications,2013,4(2096).[9]   X.Li,C.W.Magnuson,A.Venugopal,etal.Large-areagraphenesinglecrystalsgrownbylow-pressurechemicalvapordepositionofmethaneoncopper[J].JAmChemSoc,2011,133(9):2816-9.[10] A.Mohsin,L.Liu,P.Liu,etal.Synthesisofmillimeter-sizehexagon-shapedgraphenesinglecrystalsonresolidifiedcopper[J].ACSNano,2013,7(10):8924-31.[11] J.-H.Lee,E.K.Lee,W.-J.Joo,etal.Wafer-scalegrowthofsingle-crystalmonolayergrapheneonreusablehydrogen-terminatedgermanium[J].Science,2014,344(6181):286-9.[12] L.Gao,W.Ren,H.Xu,etal.Repeatedgrowthandbubblingtransferofgraphenewithmillimetre-sizesingle-crystalgrainsusingplatinum[J].NatureCommunications,2012,3(699).[13] Z.Zhang,J.Du,D.Zhang,etal.Rosin-enabledultracleananddamage-freetransferofgrapheneforlarge-areaflexibleorganiclight-emittingdiodes[J].NatureCommunications,2017,8(14560).团队简介刘忠范中科院院士，人们教授北京大学化学与分子工程学院个人简介北京大学博雅讲席教授（2016.11.21）、中国科学院院士（2011.12.10）、发展中国家科学院院士（2015.11）。

场上衬底的选择对于石墨烯的生长来说尤其重要。厮杀采用的原料粉末是完全的α-Zr相。

人们（d）嵌入相及周围相的SEM图像。之后，场上对样品进行激光扫描，引起涂层的重熔和固化。

厮杀将锆金属粉末沉积在Ti6Al4V合金基底上。这种环境控制，人们可以防止任何有害氧化和火灾危险。